型号:  IAUT165N08S5N029ATMA2

功能描述:  MOSFET MOSFET_(75V,120V(

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  HSOF-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  80 V

Id-连续漏极电流:  165 A

Rds On-漏源导通电阻:  2.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  90 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  167 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  29 ns

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  MOSFET

上升时间:  9 ns

工厂包装数量:  2000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  23 ns

典型接通延迟时间:  13 ns

零件号别名:  IAUT165N08S5N029 SP001585162