型号:  IDB15E60

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO263-3

二极管类型：  标准

电压 - DC 反向（Vr）（最大值）：  600V

电流 - 平均整流（Io）：  29.2A（DC）

不同 If 时的电压 - 正向（Vf：  2V

电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If：  15A

速度：  快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间（trr）：  87ns

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：  50µA

安装类型：  表面贴装

工作温度 - 结：  -55°C ~ 175°C

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：  50µA @ 600V

不同 If 时的电压 - 正向（Vf）：  2V @ 15A

电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr：  600V

供应商器件封装：  PG-TO263-3

安装风格：  SMD/SMT

最大浪涌电流：  60A

If - 正向电流：  29.2A

恢复时间：  131ns

Vf - 正向电压：  1.5V

Ir - 反向电流：  19.3A

最小工作温度：  -40C

最大工作温度：  +175C

系列：  IDB15E60

封装：  CutTape

高度：  4.4mm

长度：  10mm

宽度：  9.25mm

Pd-功率耗散：  83.3W

峰值反向电压：  600V

封装：  Reel

端接类型：  SMD/SMT

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs