型号: IDC21D120T6MX1SA2
功能描述: DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
制造商: Infineon Technologies
包装: 散装
系列: -
零件状态: 有源
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）: 1200V
电流 - 平均整流（Io）: 35A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf: 2.05V @ 35A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同Vr 时的电流 - 反向漏电流: 7.7µA @ 1200V
不同Vr，F 时的电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 模具
供应商器件封装: 带箔切割晶片
工作温度 - 结: -40°C ~ 175°C
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