型号:  IDD03SG60CXTMA1

功能描述:  Infineon 二极管 IDD03SG60CXTMA1 肖特基, Io=3A, Vrev=600V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

制造商:  Infineon Technologies

二极管类型：  碳化硅肖特基

电压 - DC 反向（Vr）（最大值）：  600V

电流 - 平均整流（Io）：  3A（DC）

不同 If 时的电压 - 正向（Vf：  2.3V @ 3A

速度：  无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间（trr）：  0ns

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：  15µA @ 600V

不同 Vr，F 时的电容：  60pF @ 1V，1MHz

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-TO252-3

供应商器件封装：  PG-TO252-3

工作温度 - 结：  -55°C ~ 175°C

电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If：  3A

电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr：  600V

二极管配置：  单路

最大连续正向电流：  3A

每片芯片元件数目：  1

峰值反向重复电压：  600V

封装类型：  DPAK (TO-252)

二极管技术：  肖特基

引脚数目：  3

最大正向电压降：  2.3V

长度：  6.73mm

宽度：  6.22mm

高度：  2.41mm

尺寸：  6.73 x 6.22 x 2.41mm

峰值反向电流：  150µA

最高工作温度：  +175 °C

最低工作温度：  -55 °C

峰值非重复正向浪涌电流：  100A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs