型号:  IDH10G65C5XKSA1

功能描述:  Infineon 二极管 IDH10G65C5XKSA1 肖特基, Io=10A, Vrev=650V, 2引脚 TO-220封装

制造商:  Infineon Technologies

二极管类型：  碳化硅肖特基

电压 - DC 反向（Vr）（最大值）：  650V

电流 - 平均整流（Io）：  10A（DC）

不同 If 时的电压 - 正向（Vf：  1.7V @ 10A

速度：  无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间（trr）：  0ns

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：  340µA @ 650V

不同 Vr，F 时的电容：  300pF @ 1V，1MHz

安装类型：  通孔

封装/外壳：  PG-TO220-2

供应商器件封装：  PG-TO220-2

工作温度 - 结：  -55°C ~ 175°C

二极管配置：  单路

最大连续正向电流：  10A

每片芯片元件数目：  1

峰值反向重复电压：  650V

封装类型：  TO-220

二极管类型：  肖特基

引脚数目：  2

最大正向电压降：  2.1V

长度：  10.2mm

宽度：  4.5mm

高度：  15.95mm

最高工作温度：  +175 °C

功率耗散：  89W

峰值反向电流：  1.25mA

峰值非重复正向浪涌电流：  82A

最低工作温度：  -55 °C

尺寸：  10.2 x 4.5 x 15.95mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs