型号: IDK02G120C5XTMA1
功能描述: SIC DISCRETE
制造商: Infineon Technologies
包装:
系列: CoolSiC™
零件状态: 有源
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）: 1200V
电流 - 平均整流（Io）: 11.8A（DC）
不同 If 时的电压 - 正向（Vf: 1.65V @ 2A
速度: 无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间（trr）: 无恢复时间 > 500mA（Io）
不同Vr 时的电流 - 反向漏电流: 18µA @ 1200V
不同Vr，F 时的电容: 182pF @ 1V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装: PG-TO263-2-1
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
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