型号: IDT71024S20Y8
功能描述:
制造商: Integrated Device Technology (IDT)
存储器类型： 易失
存储器格式： SRAM
技术： SRAM - 异步
存储容量： 1Mb （128K x 8）
写周期时间 - 字，页： 20ns
访问时间： 20ns
存储器接口： 并联
电压 - 电源： 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度： 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装： 32-SOJ
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
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联系人：谢先生
电话：13923432237
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联系人：李先生
电话：18822854608
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联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
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联系人：储景旭
电话：13916128954
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联系人：寒冰
Q Q:
联系人：许强
电话：15989438418
Q Q:
