型号: IFN112
功能描述: JFET N-Ch -50Vgss -1.2Vgs 10mA 360mW 2.88mW
制造商: InterFET
制造商: InterFET
产品种类: JFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-18-3
晶体管极性: N-Channel
配置: Single
Vgs-栅源极击穿电压 : - 50 V
Vgs=0时的漏-源电流: 9 mA
Pd-功率耗散: 360 mW
封装: Bulk
类型: JFET
商标: InterFET
正向跨导 - 最小值: 7 mS
闸/源截止电压: - 1.2 V
工厂包装数量: 1
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