型号: IFN5199
功能描述: JFET Dual JFET N-CH -50V 50mA 250mW 2.6mW
制造商: InterFET
制造商: InterFET
产品种类: JFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-71-6
晶体管极性: N-Channel
配置: Dual
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 50 V
Vgs=0时的漏-源电流: 7 mA
Id-连续漏极电流: - 200 uA
Pd-功率耗散: 250 mW
系列: IFN519
封装: Bulk
类型: JFET
商标: InterFET
正向跨导 - 最小值: 1 mS
闸/源截止电压: - 4 V
工厂包装数量: 1
零件号别名: 2N5199
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