型号: IFN860
功能描述: JFET Dual JFET N-Ch -20V 50mA 400mW 2.3mW
制造商: InterFET
制造商: InterFET
产品种类: JFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-71-6
晶体管极性: N-Channel
配置: Dual
Vds-漏源极击穿电压: 10 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 20 V
Vgs=0时的漏-源电流: 10 mA
Id-连续漏极电流: 100 uA
Pd-功率耗散: 400 mW
系列: IFN860
封装: Bulk
类型: JFET
商标: InterFET
正向跨导 - 最小值: 25 mS
闸/源截止电压: - 3 V
工厂包装数量: 1
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