型号:  IGB30N60H3ATMA1

功能描述:  Infineon IGB30N60H3ATMA1 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 3+Tab引脚 D2PAK (TO-263)封装

制造商:  Infineon Technologies

IGBT 类型：  沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：  600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  60A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  120A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  2.4V @ 15V，30A

功率 - 最大值：  187W

开关能量：  1.17mJ

输入类型：  标准

栅极电荷：  165nC

25°C 时 Td（开/关）值：  18ns/207ns

测试条件：  400V，30A，10.5 欧姆，15V

工作温度：  -40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-TO263-3

供应商器件封装：  PG-TO263-3

最大连续集电极电流：  30 A

最大集电极-发射极电压：  600 V

最大栅极发射极电压：  ±20V

最大功率耗散：  187 W

封装类型：  D2PAK (TO-263)

通道类型：  N

引脚数目：  3+Tab

晶体管配置：  单

长度：  10.31mm

宽度：  9.45mm

高度：  4.57mm

尺寸：  10.31 x 9.45 x 4.57mm

最高工作温度：  +175 °C

最低工作温度：  -40 °C

栅极电容：  1630pF

额定能量：  1.55mJ

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs