型号: IGC13T120T8L
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: --
Packing Type: WAFER SAWN
VDS max: 1200.0V
Technology: IGBT4 Low Power
Operating Temperature min max: -40.0 °C 175.0 °C
VGE(th) min max: 5.3 V 6.3 V
VCE(sat) max: 2.07 V
IC max: 10.0A
RoHS compliant: yes
Packing Type: WAFER SAWN
VDS max: 1200.0V
Technology: IGBT4 Low Power
Operating Temperature min max: -40.0 °C 175.0 °C
VCE max: 1200.0 V
VDS max: 1200.0 V
Operating Temperature min max: -40.0°C 175.0°C
VGE(th) min max: 5.3 V 6.3 V
VCE(sat) max: 2.07 V
VCE max: 1200.0V
VCE(sat) max: 2.07V
IC max: 10.0A
VGE(th) min max: 5.3V 6.3V
IC max: 10.0 A
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:郑小姐
电话:18188616613
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