型号: IGD01N120H2
功能描述: IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200A 1A
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-252-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
系列: IGD01N120
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
集电极最大连续电流 Ic: 3.2 A
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
湿度敏感性: Yes
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 2500
子类别: IGBTs
零件号别名: IGD01N120H2BUMA1 IGD1N12H2XT SP000014523
单位重量: 4 g
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