型号: IGN1011L70
功能描述: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
制造商: Integra Technologies Inc.
Series: -
Package: Bulk
Transistor Type: GaN HEMT
Frequency: 1.03GHz ~ 1.09GHz
Gain: 22dB
Voltage - Test: 50 V
Current Rating (Amps): -
Noise Figure: -
Current - Test: 22 mA
Power - Output: 80W
Voltage - Rated: 120 V
Package / Case: PL32A2
Supplier Device Package: PL32A2
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