型号: IGP30N60H3
功能描述: IGBT 晶体管 600V 30A 187W
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.95 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 60 A
Pd-功率耗散: 187 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: HighSpeed 3
封装: Tube
工作温度范围: - 40 C to + 175 C
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IGP30N60H3XKSA1 IGP3N6H3XK SP000702546
单位重量: 6 g
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13510133095
Q Q:
联系人：郑先生
Q Q:
联系人：贾欢
电话：15976887045
Q Q:
