型号:  IGP50N60TXKSA1

功能描述:  Infineon IGP50N60TXKSA1 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装

制造商:  Infineon Technologies

IGBT 类型：  沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：  600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  100A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  150A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  2V @ 15V，50A

功率 - 最大值：  333W

开关能量：  2.6mJ

输入类型：  标准

栅极电荷：  310nC

25°C 时 Td（开/关）值：  26ns/299ns

测试条件：  400V，50A，7 欧姆，15V

工作温度：  -40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  PG-TO220-3

供应商器件封装：  PG-TO220-3

最大连续集电极电流：  50 A

最大集电极-发射极电压：  600 V

最大栅极发射极电压：  ±20V

最大功率耗散：  333 W

封装类型：  TO-220

通道类型：  N

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

长度：  10.36mm

宽度：  4.57mm

高度：  15.95mm

尺寸：  10.36 x 4.57 x 15.95mm

最高工作温度：  +175 °C

最低工作温度：  -40 °C

栅极电容：  3140pF

额定能量：  3.6mJ

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs