型号:  IGT60R190D1SATMA1

功能描述:  MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  GaN

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PG-HSOF-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  12.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  190 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  0.9 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  3.2 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  55.5 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  CoolGaN

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  12 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  5 ns

工厂包装数量:  2000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  12 ns

典型接通延迟时间:  11 ns

零件号别名:  SP001701702