型号: IGW30N65L5XKSA1
功能描述: IGBT 晶体管 650V IGBT Trenchstop 5
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.05 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 85 A
Pd-功率耗散: 227 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: TRENCHSTOP 5 L5
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 240
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IGW30N65L5 SP001174472
单位重量: 6.055 g
联系人:Alien
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:王小姐,刘先生
电话:19147724283
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:黄
电话:18927111567
Q Q:
联系人:李先生
电话:18822854608
联系人:刘志
电话:18667040231
联系人:梁培钦
电话:13537646264
联系人:白云
电话:13530052189