型号: IHW25N120R2
功能描述: IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 50 A
Pd-功率耗散: 365 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: 600V TRENCHSTOP
封装: Tube
高度: 20.95 mm
长度: 15.9 mm
宽度: 5.3 mm
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 240
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IHW25N120R2FKSA1 IHW25N12R2XK SP000212016
单位重量: 38 g
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