型号: IHW30N160R2
功能描述: IGBT 晶体管 RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1600 V
集电极—射极饱和电压: 1.8 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 60 A
Pd-功率耗散: 312 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: 600V TRENCHSTOP
封装: Tube
高度: 20.95 mm
长度: 15.9 mm
宽度: 5.3 mm
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 240
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IHW30N160R2FKSA1 IHW3N16R2XK SP000273701
单位重量: 38 g
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