型号: IKB40N65EH5ATMA1
功能描述: IGBT 晶体管 40A 650V TRENCHSTOP 5 fast H5 IGBT copacked with 40A Rapid 1 diode
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-263-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.65 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 74 A
Pd-功率耗散: 250 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: TRENCHSTOP 5
封装: Cut Tape
封装: Reel
集电极最大连续电流 Ic: 74 A
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
零件号别名: IKB40N65EH5 SP001613462
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：王先生
电话：13683302275
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：谭婕
电话：18675559598
Q Q:
联系人：刘金政，
电话：13811057772
Q Q:
联系人：郭先生
电话：13480683505
Q Q:
