型号: IKD04N60RATMA1
功能描述: IGBT 晶体管 IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-252-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.65 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 8 A
Pd-功率耗散: 75 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: RC
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 2500
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IKD04N60R SP000964626
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