型号: IKD10N60RF
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： IKD10N60RF
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： TrenchStop®
包装： 带卷（TR）
IGBT 类型： 沟道和场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）： 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 30A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2.5V @ 15V，10A
功率 - 最大值： 150W
开关能量： 190µJ（开），160µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 64nC
25°C 时 Td（开/关）值： 12ns/168ns
测试条件： 400V，10A，26 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： 72ns
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： PG-TO252-3
其它名称： IKD10N60RF-TRIKD10N60RFATMA1SP000939366SP000969366
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