型号:  IKFW60N60EH3XKSA1

功能描述:  IGBT 晶体管 High speed hard switching 600 V, 60 A third generation TRENCHSTOP IGBT3 co-packed with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in a TO-247 advanced isolation.

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  IGBT 晶体管

RoHS:  是

技术:  Si

封装 / 箱体:  TO-247-3

安装风格:  Through Hole

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  600 V

集电极—射极饱和电压:  1.85 V

栅极/发射极最大电压:  20 V

在25 C的连续集电极电流:  63 A

Pd-功率耗散:  164 W

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 175 C

系列:  600V TRENCHSTOP

封装:  Tube

集电极最大连续电流 Ic:  63 A

商标:  Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流:  100 nA

产品类型:  IGBT Transistors

工厂包装数量:  240

子类别:  IGBTs

商标名:  TRENCHSTOP

零件号别名:  IKFW60N60EH3 SP001672366