型号: IKP08N65H5
功能描述: IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.65 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 18 A
Pd-功率耗散: 70 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: TRENCHSTOP 5 H5
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IKP08N65H5XKSA1 SP001001716
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