型号:  IKQ50N120CT2XKSA1

功能描述:  Infineon IKQ50N120CT2XKSA1 P沟道 IGBT, 100 A, Vce=1200 V, 20kHz, 3引脚 TO-247封装

制造商:  Infineon Technologies

IGBT 类型：  沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：  1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  100A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  200A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  2.15V @ 15V，50A

功率 - 最大值：  652W

开关能量：  3.8mJ（开），3.3mJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  235nC

25°C 时 Td（开/关）值：  34ns/312ns

测试条件：  400V，50A，10 欧姆，15V

工作温度：  -40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  PG-TO247-3

供应商器件封装：  PG-TO247-3-46

最大连续集电极电流：  100 A

最大集电极-发射极电压：  1200 V

最大栅极发射极电压：  ±30V

最大功率耗散：  652 W

晶体管数：  1

封装类型：  TO-247

通道类型：  P

引脚数目：  3

开关速度：  20kHz

晶体管配置：  单

长度：  15.9mm

宽度：  5.1mm

高度：  21.1mm

尺寸：  15.9 x 5.1 x 21.1mm

最高工作温度：  +175 °C

栅极电容：  3270pF

额定能量：  7.1

最低工作温度：  -40 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs