型号: IKW30N65H5XKSA1
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
IGBT 类型： 沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）： 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 55A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 90A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 2.1V @ 15V，30A
功率 - 最大值： 188W
开关能量： 280µJ（开），100µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 70nC
25°C 时 Td（开/关）值： 20ns/190ns
测试条件： 400V，15A，23 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： 70ns
工作温度： -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： PG-TO247-3
供应商器件封装： PG-TO247-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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