型号: IKW50N60H3
功能描述: IGBT 晶体管 HIGH SPEED SWITCHING
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2.25 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
Pd-功率耗散: 333 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: HighSpeed 3
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 50 A
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
宽度: 5.31 mm
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 240
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IKW50N60H3FKSA1 IKW5N6H3XK SP000852244
单位重量: 38 g
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