型号:  IKW50N65WR5XKSA1

功能描述:  Infineon IKW50N65WR5XKSA1 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 60kHz, 3引脚 TO-247封装

制造商:  Infineon Technologies

IGBT 类型：  沟道

电压 - 集射极击穿（最大值）：  650V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  80A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  150A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  1.8V @ 15V，50A

功率 - 最大值：  282W

开关能量：  840µJ（开），220µJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  230nC

25°C 时 Td（开/关）值：  45ns/417ns

测试条件：  400V，25A，16 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：  110ns

工作温度：  -40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  PG-TO247-3

供应商器件封装：  PG-TO247-3

最大连续集电极电流：  80 A

最大集电极-发射极电压：  650 V

最大栅极发射极电压：  ±20V

最大功率耗散：  282 W

晶体管数：  1

封装类型：  TO-247

通道类型：  N

引脚数目：  3

开关速度：  60kHz

晶体管配置：  单

长度：  16.13mm

宽度：  5.21mm

高度：  21.1mm

尺寸：  16.13 x 5.21 x 21.1mm

最高工作温度：  +175 °C

栅极电容：  6140pF

额定能量：  1.06mJ

最低工作温度：  -40 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs