型号:  IKW75N65EH5XKSA1

功能描述:  IGBT 晶体管 Infineon s new TRENCHSTOP 5 IGBT technology redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market s high e

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  IGBT 晶体管

RoHS:  是

技术:  Si

封装 / 箱体:  TO-247-3

安装风格:  Through Hole

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  650 V

集电极—射极饱和电压:  1.65 V

栅极/发射极最大电压:  20 V

在25 C的连续集电极电流:  90 A

Pd-功率耗散:  395 W

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 175 C

系列:  TRENCHSTOP 5 H5

封装:  Tube

高度:  20.7 mm

长度:  15.87 mm

宽度:  5.31 mm

商标:  Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流:  100 nA

产品类型:  IGBT Transistors

工厂包装数量:  240

子类别:  IGBTs

商标名:  TRENCHSTOP

零件号别名:  IKW75N65EH5 SP001257948