型号:  IKZ75N65ES5XKSA1

功能描述:  Infineon IKZ75N65ES5XKSA1 P沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 40kHz, 4引脚 TO-247封装

制造商:  Infineon Technologies

IGBT 类型：  沟道

电压 - 集射极击穿（最大值）：  650V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  80A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  300A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  1.75V @ 15V，75A

功率 - 最大值：  395W

开关能量：  1.3mJ（开），1.5mJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  164nC

25°C 时 Td（开/关）值：  46ns/405ns

测试条件：  400V，15A，22.3 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：  72ns

工作温度：  -40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  PG-TO247-4

供应商器件封装：  PG-TO247-4

最大连续集电极电流：  80 A

最大集电极-发射极电压：  650 V

最大栅极发射极电压：  ±30V

最大功率耗散：  395 W

晶体管数：  1

封装类型：  TO-247

通道类型：  P

引脚数目：  4

开关速度：  40kHz

晶体管配置：  单

长度：  15.9mm

宽度：  5.1mm

高度：  22.5mm

尺寸：  15.9 x 5.1 x 22.5mm

最高工作温度：  +175 °C

栅极电容：  4500pF

额定能量：  2.8

最低工作温度：  -40 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs