型号: IMW65R072M1HXKSA1
功能描述: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
制造商: Infineon Technologies
包装: 管件
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: -
技术: -
漏源电压（Vdss）: -
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: -
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: -
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: -
Vgs（最大值）: -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: -
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: -
工作温度: -
安装类型: -
供应商器件封装: -
封装/外壳: -
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