型号: IMZ120R140M1H
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):19A(Tc) 漏源电压(Vdss):1200V 栅源极阈值电压:5.7V @ 2.5mA 漏源导通电阻:182mΩ @ 6A,18V 最大功率耗散(Ta=25°C):94W(Tc) 类型:N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 1200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 19A(Tc)
栅源极阈值电压: 5.7V @ 2.5mA
漏源导通电阻: 182mΩ @ 6A,18V
最大功率耗散(Ta=25°C): 94W(Tc)
类型: N沟道
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