型号: IPA040N08NM5S
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3.8V @ 109uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 38A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：39W(Tc) 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 80V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 75A(Tc)
栅源极阈值电压: 3.8V @ 109uA
漏源导通电阻: 4mΩ @ 38A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 39W(Tc)
类型: N沟道
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