IPA50R190CEXKSA2规格参数_IPA50R190CEXKSA2全国代理商/分销商

型号: IPA50R190CEXKSA2
功能描述: IPA50R190CE Series 500 V 18.5 A 190 mOhm CoolMOSTM CE Power Transistor -TO-220-3
制造商: Infineon Technologies
系列： CoolMOS™ CE
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 18.5A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 13V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3.5V @ 510µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 47.2nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1137pF @ 100V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 32W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 190 毫欧 @ 6.2A，13V
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳： PG-TO220-3
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 500V
连续漏极电流ID： 18.5A
漏源电压（Vdss）： 500V
供应商器件封装： PG-TO220 整包
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs