型号:  IPA50R190CEXKSA2

功能描述:  IPA50R190CE Series 500 V 18.5 A 190 mOhm CoolMOSTM CE Power Transistor -TO-220-3

制造商:  Infineon Technologies

系列：  CoolMOS™ CE

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  18.5A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  13V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  3.5V @ 510µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  47.2nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1137pF @ 100V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  32W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  190 毫欧 @ 6.2A，13V

工作温度：  -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  PG-TO220-3

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  500V

连续漏极电流ID：  18.5A

漏源电压（Vdss）：  500V

供应商器件封装：  PG-TO220 整包

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs