型号:  IPA50R380CEXKSA2

功能描述:  Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPA50R380CEXKSA2, 9.9 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  6.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  13V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.5V @ 260µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  24.8nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  584pF @ 100V

功率耗散（最大值）：  29.2W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  380 毫欧 @ 3.2A，13V

工作温度：  -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  TO-220 整包

封装/外壳：  PG-TO220-3

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  9.9 A

最大漏源电压：  550 V

最大漏源电阻值：  380 m0hms

最大栅源电压：  -30 V、+30 V

封装类型：  TO-220

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  29.2 W

每片芯片元件数目：  1

系列：  CoolMOS CE

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  24.8 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  584 pF @ 100 V

典型关断延迟时间：  35 ns

典型接通延迟时间：  7.2 ns

宽度：  4.9mm

高度：  16.15mm

最低工作温度：  -40 °C

最高工作温度：  +150 °C

长度：  10.65mm

正向二极管电压：  0.85V

尺寸：  10.65 x 4.9 x 16.15mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs