型号: IPA60R160P7
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 350uA 漏源导通电阻：160mΩ @ 6.3A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：26W (Tc) 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 20A
栅源极阈值电压: 4V @ 350uA
漏源导通电阻: 160mΩ @ 6.3A, 10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 26W (Tc)
类型: N沟道
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