型号: IPAN60R360PFD7SXKSA1
功能描述: MOSFET N-CH 600V
制造商: Infineon Technologies
包装: 管件
系列: CoolMOS™PFD7
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 360 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 140µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 12.7nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 534pF @ 400V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 23W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220 整包
封装/外壳: TO-220-3 整包
联系人：刘先生
电话：18390902447
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：黃小姐
电话：13760273155
Q Q:
联系人：彭传凤
电话：15889626113
Q Q:
