型号:  IPB011N04NGATMA1

功能描述:  N-Channel 40 V 1.1 mOhm OptiMOS™3 Power-Transistor - PG-TO-263-7

制造商:  Infineon Technologies

系列：  OptiMOS™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  180A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 200µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  250nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  20000pF @ 20V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  250W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  1.1 毫欧 @ 100A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-TO263-7

封装形式Package：  D2PAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  40V

连续漏极电流ID：  180A

漏源电压（Vdss）：  40V

供应商器件封装：  PG-TO263-7-3

无铅情况/RoHs：  否