型号: IPB019N08N3 G
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 14200pF @ 40V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 1.9 毫欧 @ 100A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PG-TO263-7
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss): 80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 270µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 206nC @ 10V
安装风格: SMD/SMT
通道数量: 1Channel
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 180A
Rds On-漏源导通电阻: 1.6mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2V
Vgs - 栅极-源极电压: 20V
Qg-栅极电荷: 206nC
最小工作温度: -55C
最大工作温度: +175C
配置: Single
Pd-功率耗散: 300W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: CutTape
高度: 4.4mm
长度: 10mm
系列: OptiMOS3
晶体管类型: 1N-Channel
宽度: 9.25mm
正向跨导 - 最小值: 103S
下降时间: 33ns
上升时间: 73ns
典型关闭延迟时间: 86ns
典型接通延迟时间: 28ns
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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