型号:  IPB032N10N5ATMA1

功能描述:  MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-7

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  166 A

Rds On-漏源导通电阻:  2.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  95 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  187 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  OptiMOS

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

系列:  OptiMOS 5

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  84 S

下降时间:  9.8 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  9.7 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  35 ns

典型接通延迟时间:  16.2 ns

零件号别名:  IPB032N10N5 SP001607808