型号:  IPB042N03LG

功能描述:  MOSFET N-Ch 30V 70A D2PAK-2 OptiMOS

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

商标:  Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:  70 A

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Rds On-漏源导通电阻:  4.2 mOhms

晶体管极性:  N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :  20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.2 V

Qg-栅极电荷:  18 nC

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  79 W

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  D2PAK-3

封装:  Reel

通道模式:  Enhancement

配置:  Single

下降时间:  4.4 ns

正向跨导 - 最小值:  87 S

最小工作温度:  - 55 C

上升时间:  5.6 ns

系列:  OptiMOS 3

工厂包装数量:  1000

商标名:  OptiMOS

典型关闭延迟时间:  28 ns

典型接通延迟时间:  7.4 ns

零件号别名:  IPB042N03LGATMA1 IPB042N03LGXT SP000304124