型号: IPB051NE8NG
功能描述: MOSFET N-Ch 85V 100A D2PAK-
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标:
Id-连续漏极电流: 100 A
Vds-漏源极击穿电压: 85 V
Rds On-漏源导通电阻: 5.1 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 21 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 42 ns
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 64 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
零件号别名: IPB051NE8NGXT
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