型号: IPB06CNE8NGXT
功能描述: Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
制造商: Infineon Technologies AG
最大门源电压: ±20
安装: Surface Mount
包装宽度: 9.25
PCB: 2
最大功率耗散: 214000
最大漏源电压: 85
欧盟RoHS指令: Compliant
最大漏源电阻: 6.2@10V
每个芯片的元件数: 1
最低工作温度: -55
供应商封装形式: TO-263
标准包装名称: D2PAK
最高工作温度: 175
渠道类型: N
包装长度: 10
引脚数: 3
通道模式: Enhancement
包装高度: 4.4
最大连续漏极电流: 100
标签: Tab
铅形状: Gull-wing
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