型号: IPB06CNE8NGXT
功能描述: Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
制造商: Infineon Technologies AG
最大门源电压: ±20
安装: Surface Mount
包装宽度: 9.25
PCB: 2
最大功率耗散: 214000
最大漏源电压: 85
欧盟RoHS指令: Compliant
最大漏源电阻: 6.2@10V
每个芯片的元件数: 1
最低工作温度: -55
供应商封装形式: TO-263
标准包装名称: D2PAK
最高工作温度: 175
渠道类型: N
包装长度: 10
引脚数: 3
通道模式: Enhancement
包装高度: 4.4
最大连续漏极电流: 100
标签: Tab
铅形状: Gull-wing
联系人:曾小姐
联系人:刘经理
电话:13381567868
联系人:陈小姐
电话:18823802745
联系人:张
电话:15921761256
联系人:岳先生
电话:13923765194
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:木易
电话:13352985419
联系人:罗生
电话:13106933462
联系人:林锦涛
电话:13480668862
联系人:詹R
电话:0755-6546516
Q Q: