型号:  IPB083N15N5LFATMA1

功能描述:  MOSFET

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  150 V

Id-连续漏极电流:  105 A

Rds On-漏源导通电阻:  6.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  45 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  179 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  OptiMOS

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

系列:  OptiMOS 5

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  9 S

下降时间:  6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  46 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  25 ns

典型接通延迟时间:  7 ns

零件号别名:  IPB083N15N5LF SP001503862

单位重量:  2.200 g