型号: IPB11N03LA
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 30A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 11.2 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 11nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1358pF @ 15V
功率 - 最大值： 52W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装： PG-TO263-3
其它名称： IPB11N03LATSP000014987
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：JUANY
Q Q:
联系人：陈传城
电话：13528411877
Q Q:
联系人：辜文追
电话：15627446550
Q Q:
