型号:  IPB144N12N3 G

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

RoHS：  符合 RoHS

107 W：  Pd - 功率消耗

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  PG-TO263-3

系列：  IPB144N12

品牌：  InFineon Technologies

下降时间：  4 nS

最低工作温度：  - 55 C

上升时间：  9 nS

标准包装数量：  1000

晶体管极性：  N-Channel

公司名称：  OptiMOS

标准断开延迟时间：  24 nS

Vds - 漏-源击穿电压：  120 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：  20 V

Id - C连续漏极电流：  56 A

Rds On - 漏-源电阻：  14.7 m0hms

配置：  Single

37 nC：  Qg - 闸极充电

最高工作温度：  + 175 C

通道数量：  1Channel

Vds-漏源极击穿电压：  120V

Id-连续漏极电流：  56A

Rds On-漏源导通电阻：  12.3mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  2V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  49nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +175C

Pd-功率耗散：  107W

通道模式：  Enhancement

封装：  CutTape

高度：  4.4mm

长度：  10mm

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  9.25mm

正向跨导 - 最小值：  31S

典型关闭延迟时间：  24ns

典型接通延迟时间：  16ns

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs