型号: IPB160N04S2-03
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： IPB160N04S2-03
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 160A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 2.9 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 170nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 5300pF @ 25V
功率 - 最大值： 300W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
供应商器件封装： PG-TO263-7
其它名称： IPB160N04S203ATMA1SP000218151
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：廖先生
电话：13926543930
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：颜R
电话：23363221
Q Q:
联系人：卢
电话：82862300
Q Q:
联系人：张伟武
电话：13542881370
Q Q:
