型号:  IPB180N03S4L-01

功能描述:  MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-7

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  180 A

Rds On-漏源导通电阻:  1.05 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  16 V

Qg-栅极电荷:  187 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  188 W

配置:  Single

资格:  AEC-Q101

商标名:  OptiMOS

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  4.4 mm

长度:  10 mm

系列:  OptiMOS-T2

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  9.25 mm

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  23 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  5 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  57 ns

典型接通延迟时间:  8 ns

零件号别名:  IPB180N03S4L01ATMA1 IPB18N3S4L1XT SP000555002

单位重量:  1.600 g