型号: IPB200N25N3G
功能描述: MOSFET N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 64 A
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 64 nC
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
下降时间: 12 ns
正向跨导 - 最小值:122 S, 61 S: 122 S, 61 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 20 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 1000
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
零件号别名: IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GXT SP000677896
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